VCSEL（垂直腔面发射激光器）磊芯片龙头大厂 IQE，华宇：发布2019 上半年营收为6，672 万英镑，相较2018 年同期7，340 万英镑衰退9.1%。

 剖析2019 上半年 IQE 营收衰退缘由，主要由于2019 年终端产品手机出货量下滑、中美贸易战及地域政治慌张如英国脱欧、日韩贸易争端等要素所致，使上半年 IQE 无线通讯（3015 万英镑）及 CMOS（109 万英镑）范畴营收双双下滑，但光通讯营收（3548 万英镑）却仍然强劲，较同期生长18.0%；由此可见，VCSEL 元件于终端市场应用（如手机、车用范畴）需求，将来仍旧持续看好。

 VCSEL 元件获利性高于 LED 元件，目前磊芯片市场已构成百花怒放场面

VCSEL 元件开展态势，从2018 年苹果发表的 iPhone X 系列开端，直到今日话题性依然不时；主要由于近期手机终端产品之3D 感测人脸分辨功用及车用光达（LiDAR）应用等需求，使相关技术及元件需求的讨论水平仍旧不减。

 若回到技术层面，可发现由于 VCSEL 元件构造十分复杂，资料特性、磊芯片层数之请求必需十分高，且需有高难度的磊芯片技术才可顺利消费；但由于营收考量，VCSEL 元件获利性仍较普通红外光元件发光二极体（LED）高出许多，使各家磊芯片厂商如 IQE、全新等、LED 厂如芯片电、Lumentum 等无不相继投入或转型至 VCSEL 元件开发，以期获得较高营收表现，目前整体市场已构成百花怒放场面。

 由于两侧反射层结构复杂，VCSEL 元件构造需考量于资料设计及磊芯片质量

由于 VCSEL 元件的运转原理与市售 LED 元件非常类似，主要皆经过 N 型半导体（本体或经参杂后所得较多带电子之半导体资料）与 P 型半导体（本体或经参杂后所得较多带电洞的半导体资料）互相接合后，构成 PN 接面（PN Junction）再通电元件，华宇：随后经过一连串物理变化，最终生成光源。

 进一步讨论 VCSEL 与 LED 元件两者间的构造差别，LED 元件单纯经过 N 型及 P 型半导体构造接合即可，而 VCSEL 元件除了相同运用两者接合，还需再应用两侧分散式布拉格反射器（Distributed Bragg Reflector，DBR）等结构，使其生成之光源再经由数次反射后，进步整体光源能量，最后光源应用于其他终端产品如手机、汽车等范畴。

 因而 VCSEL 元件构造除了 N 型及 P 型半导体，还需经过磊芯片生长方式将两侧 DBR 堆叠（层数高达50~100 层）其中，构成光线之反射区域，使生成的光源能量得以强化；相形之下，VCSEL 元件构造比 LED 元件更复杂，资料设计较艰难，且磊芯片质量（厚度、平整性与平均度）请求极高，由整体构造表示图可略知一二。