当前位置： > 华宇登录 > 正文
正文
三星电子宣布，开发出业界首见的12 层3D 矽穿孔技术（Through-Silicon Via，简称 TSV）。DRAM 芯片片的堆叠层数能从8 层增至12 层，不久后将量产24GB 的高频宽记忆体（HBM）。
三星新闻稿指出，12 层3D-TSV 技术，华宇：被视为量产高效能芯片片最具应战的封装技术之一，需求极度精准，才干让12 层 DRAM 芯片片，经过6 万个 TSV 穿孔的3D 构造，垂直互连，厚度只要人类头发的二非常之一。
采用这个封装技术的产品，厚度为720 微米，与当前8 层的二代高频宽记忆体相同。这是零组件设计的严重停顿，客户能够推出新一代的大容量、高效能产品，却毋须更动系统构造设计。不只如此，和现行的打线接合（wire bonding）技术相比，3D 封装能缩短芯片片间的数据传输时间，可进步速度、减少耗电。
三星电子的测试与系统封装执行副总 Hong-Joo Baek 说，摩尔定律濒临界限，意料3D-TSV 技术将益发重要，华宇：希望成为此先进封装技术的要角。
版权保护: 本文由 原创，转载请保留链接: http://www.allart.com.cn//html/2019/1010/273.html
