记忆体市场逐步复苏当下，韩国记忆体大厂 SK 海力士于21 日宣布，开端开发适用1Z 纳米制程的10 纳米等 级16Gb DDR4 DRAM 记忆体。依据 SK 海力士的指出，相较于上一代1Y 纳米制程的10 纳米等级 DRAM，该产品的消费效率进步了27%，华宇：并且能够在不用高价的 EUV 及紫外光刻技术的状况下停止消费，将具本钱竞争力。

SK 海力士进一步指出，该款1Z 纳米制程的10 纳米等级16Gb DDR4 DRAM 记忆体还能够稳定援助最高3200Mbps 的材料传输速率，这会是 DDR4 规格内的最高速率。相关的运用功耗也显着降低，与1Y 纳米制程的10 纳米等级8Gb DRAM 相同容量模组比拟，功耗约降低了40%。

另外特别的是，该款1Z 纳米制程的10 纳米等级16Gb DDR4 DRAM 记忆体适用前一代的消费技术，但是却能运用历来没运用过的新资料，如此以将 DRAM 运作时的关键要素静电容量（Capacitance）最大化。此外，还引进了新的设计技术，华宇：进一步提生了运作时的稳定性。

SK 还强调，1Z 纳米制程的10 纳米等级的 DDR4 DRAM 具有业界最高水准的容量和速度，再加上优良的功耗情况，将是最合适应用于高性能或高容量 DRAM 的客户需来运用。依据规划，SK 海力士将在2019 年底前完成大量消费，并且从2020 年开端正式对市场供给， 积极应对市场需求。

而除了1Z 纳米制程的10 纳米等级的 DDR4 DRAM 之外，SK 海力士目前还方案针对下一代行动 DRAM LPDDR5 和 最高阶 DRAM HBM3 等多项产品开端扩展运用1Z 纳米制程的的10纳米等级技术。